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Samsung 850 EVO mSATA 120GB

Samsung
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Kurzübersicht

120GB mSATA, SATA 6Gb/s, 32 layer 3D V-NAND, 540 MB/s Read, 520 MB/s

 Samsung 850 EVO mSATA 120GB

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Artikelbeschreibung

Was versteht man unter 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bestehenden Technologie?
Die einzigartige innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung stellt einen Durchbruch bei der Überwindung von Beschränkungen der Dichte, Performance und Beständigkeit der herkömmlichen planaren NAND-Architektur dar. In 3D V-NANDs werden 32 Zellschichten vertikal übereinander geschichtet, statt die Ausmaße der Zellen zu verringern und zu versuchen, mit einem festgelegten horizontalen Platzangebot auszukommen. Dadurch bietet die Technologie eine höhere Dichte und bessere Performance bei weniger Platzbedarf.

Optimieren Sie die Rechenleistung mithilfe der TurboWrite-Technologie für unerreichte Geschwindigkeiten beim Lesen und Schreiben
Erreichen Sie optimale Lese / Schreibgeschwindigkeiten und sorgen Sie mithilfe der TurboWrite-Technologie von Samsung täglich für ein maximales Computererlebnis. Im Vergleich zum 840 EVO zeigt das 850 EVO eine um circa 13% verbesserte Gesamtbenutzererfahrung, teilweise dank der jetzt doppelt so schnelle zufälligen Schreibgeschwindigkeit**. Mit einer sequentiellen Lese- bzw. Schreibgeschwindigkeit von 540 MB/s bzw. 520 MB/s liefert das 850 EVO die beste Leistung seiner Klasse. Genießen Sie optimierte zufällige Schreib / Lese-Performance in allen Warteschlangentiefen (QD) für Client-PC-Anwendungsszenarien.
*PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) < 7.600 (850 EVO) **Zufälliges Schreiben (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) < 88.000 IOPS (850 EVO)

Vergrößern Sie den Datenspeicher mit dem RAPID-Modus
Das Samsung 850 EVO mSATA ist eine Hochgeschwindigkeitsmaschine. Mithilfe der neuesten Samsung Magician Software können Sie den RAPID-Modus aktivieren, um auf unbenutzten PC-Speicher (DRAM) zuzugreifen und diesen als Zwischenspeicher mit bis zu 25% der gesamten DRAM-Kapazität zu nutzen. Dank dieses erheblich vergrößerten Speichers wird die Datenverarbeitung beschleunigt und die zufällige QD kann im RAPID-Modus auf bis das Doppelte ansteigen.


Langlebigkeit und Zuverlässigkeit, unterstützt durch 3D V-NAND-Technologie
Das 850 EVO liefert eine garantierte Langlebigkeit und Zuverlässigkeit, indem es den TBW-Wert (Total Bytes Written) im Vergleich zur vorherigen Generation 840 EVO verdoppelt* und zusätzlich eine in der Branche unerreichte 5-Jahresgarantie anbietet. Durch die Verbesserung der Leistung um bis zu 30% ermöglicht das 850 EVO eine nachhaltige Performance** und zählt somit zu den zuverlässigsten Speicherlösungen.


Energieeffizienz unterstützt durch 3D V-NAND
Ab dem 850 EVO wurde die 2 mW-Energiesparfunktion in den 840 EVO-Geräten eingeführt, und jetzt stellt das 850 EVO die hochmoderne 3D-NAND-Technologie vor (die 50% weniger Energie verbraucht als planares 2D-NAND). Damit erhalten Sie während der Schreibvorgänge um 25% mehr Leistungseffizienz*.

Verwendungsmöglichkeit in verschiedenen Gerätetypen dank flexiblem Formfaktor
Das vielseitige 850 EVO mSATA deckt alle Anwendungsmöglichkeiten ab, egal welchen Anschlusstyp oder welche physische Steckplatzgröße Ihr Gerät unterstützt. Das macht es zur idealen Wahl für die Desktops, Laptops und besonders für die durch extrem schmale Abmessungen beschränkten Tablet PCs von heute.

Spezifikationen

Leistung

SSD Speicherkapazität 120 GB
SolidStateDrive (SSD) Schnittstelle Mini-SATA
Lesegeschwindigkeit 540 MB/s
Schreibgeschwindigkeit 520 MB/s
Datenübertragungsrate 6 Gbit/s
Zufälliges Lesen (4KB) 97000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB) 88000 IOPS
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen 256-bit AES
S.M.A.R.T. Unterstützung Yes
TRIM-Unterstützung Yes
Schreibrate Yes
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1500000 h
TBW-Bewertung 75

Design

Eingebaut Yes

Energie

Arbeitsspannung 5 V

Gewicht & Abmessungen

Breite 3 cm
Tiefe 3.81 cm
Höhe 5.08 cm
Gewicht 9.07 g

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